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表明前端会优先聚集有机分子提前达到过饱和态，则委暂定做调整所以在此处优先成核、结晶。对G等产图三：有机半导体单晶阵列晶体质量的表征(a-c)有机半导体单晶阵列的同步辐射掠入射X射线衍射表征结果。进口(e)有机半导体单晶的AFM表征结果。
国务(b,c)该器件的转移和输出特性曲线。为此，院关许多研究组开发了一系列基于涂布技术的大规模组装策略，院关如浸涂、刮涂、旋涂等，实现了有机半导体单晶材料的大面积阵列化生长，并成功展示了其在高性能集成器件中的应用。
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